董承远副教授

址:上海市东川路800号综合实验大楼2-604

话:+86-21-34208271

箱:cydong@sjtu.edu.cn

研究中心:独立实验室

个人简介
20037月毕业于上海交通大学并获工学博士学位。2003年-2008年先后在上海广电NEC液晶显示器有限公司、昆山龙腾光电有限公司和上海天马微电子有限公司等国内主要的平板显示制造企业从事与TFT相关的工艺开发、产品设计和新技术研发工作。200811月加入上海交通大学电子工程系至今,主要研究方向为新型薄膜微电子器件、电路及其在半导体显示、存储等特大型产业中的实际应用等。主持或参加10余项政府和企业科研项目,发表论文70余篇,申请中国发明专利10余,编著教材/文集2部。担任SID中国区显示技术培训委员会主席兼北京分会显示制造技术委员会副主席、IDW显示电子系统技术委员会委员、Micromachines期刊客座编辑等。
研究领域

薄膜微电子器件与电路,即在玻璃、塑料、硅片等大面积基板上实现微电子器件、电路和系统,主要应用面向半导体显示、存储等特大型产业。

研究方向

1.专用集成电路阵列设计与驱动

2.新型薄膜微电子器件物理与工艺



获奖情况

SID北京分会2021年度杰出贡献奖

IOP2018年度优秀审稿人奖

物理学会2021年度优秀审稿人奖

授课

1. 显示电子学(研究生专业课)

2. 薄膜晶体管技术(工程硕士专业课)

3. 薄膜晶体管原理及应用(本科生专业课)

科研项目

1. 主持多项与新型TFT背板设计和制造相关的产学合作项目

2. 主持或参与基金面上、基金重点、上海市自然科学基金、江西省重大科研项目等政府项目


学术兼职

SID中国显示技术培训委员会主席

SID北京分会显示制造技术委员会副主席

IDW显示电子系统委员会委员

Micromachines期刊客座编辑

著作及专利

1. 出版教材/文集2部;申请中国发明专利12项(其中8项已授权,1项已转让)

2. 董承远,《薄膜晶体管原理及应用》(第2版),清华大学出版社(2023)

3. Chengyuan Dong, Recent Advances in Thin Film Electronic Devices, MDPI (2022)

重要论文

共发表论文70余篇(其中SCI论文20余篇),代表作如下:

1. Chengyuan Dong*, Guochao Liu, Ying Zhang, Guofeng Feng, and Yan Zhou, “Double-Stacked Gate Insulators SiOx/TaOx for Flexible Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors”, Mater. Sci. Semicond. Process., 96,99-103 (2019)

2. Haiting Xie, Qi Wu, Ling Xu, Lei Zhang, Guochao Liu, and Chengyuan Dong*," Nitrogen-Doped Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors with Double-Stacked Channel Layers", Applied Surface Science, 387, 237–243 (2016)
3. Zhe Hu, Chengyuan Dong*, Daxiang Zhou, Yuting Chen, Jie Wu, Haiting Xie, Cheng-Lung Chiang, Po-Lin Chen, Tzu-Chieh Lai, Chang-Cheng Lo and A. Lien, " Thermal Stability of Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors with Different Oxygen-Contained Active Layers", J. Disp. Technol., 11,610-614 (2015)
4. Chengyuan Dong*, Jie Wu, Yuting Chen, Daxiang Zhou, Zhe Hu, Haiting Xie, Cheng-Lung Chiang, Po-Lin Chen, Tzu-Chieh Lai, Chang-Cheng Lo and A. Lien, “Comparative study of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors passivated by sputtered non-stoichiometric aluminum and titanium oxide layers”, Mater. Sci. Semicond. Process., 27, 719-724 (2014)

5. Chengyuan Dong*, Yuting Chen, Zhe Hu, Jie Wu, Daxiang Zhou, Haiting Xie, Cheng-Lung Chiang, Po-Lin Chen, Tzu-Chieh Lai, Chang-Cheng Lo and A. Lien, “Process development of inverted-staggered amorphous InGaZnO thin film transistors with wet-etched electrodes”, J. Soc. Inf. Display, 21/11, 461-466 (2014)

6. Zenghui Fan, Ao Shen, Yong Xia, Chengyuan Dong *, “Amorphous InGaZnO Th in-Film Transistors with Double-Stacked Channel Layers for Ultraviolet Light Detection”, Micromachines, 13,2099 2022

7. Haiting Xie, Yan Zhou, Ying Zhang, and Chengyuan Dong*," Chemical Bonds in Nitrogen-Doped Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors", Results in Physics, 11, 1080-1086 (2018)

8. Haiting Xie, Guochao Liu, Lei Zhang, Yan Zhou, Chengyuan Dong*, "Amorphous Oxide Thin Film Transistors with Nitrogen-Doped Hetero-Structure Channel Layers", Applied Sciences, 7,1099 (2017)

9. Haiting Xie, Qi Wu, Ling Xu, Lei Zhang, Guochao Liu, and Chengyuan Dong*," Nitrogen-Doped Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors with Double-Stacked Channel Layers", Applied Surface Science, 387, 237–243 (2016)

10. Zhe Hu, Chengyuan Dong*, Daxiang Zhou, Yuting Chen, Jie Wu, Haiting Xie, Cheng-Lung Chiang, Po-Lin Chen, Tzu-Chieh Lai, Chang-Cheng Lo and A. Lien, " Thermal Stability of Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors with Different Oxygen-Contained Active Layers", J. Disp. Technol., 11,610-614 (2015